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概述：

CR5229 是內(nèi)置高壓功率 MOSFET 的電流模反激 PWM 控制芯片，適用于 18W 以內(nèi)的離線式反激開關(guān)電源，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)。為了保證芯片正常工作，CR5229 針對(duì)各種故障設(shè)計(jì)了一系列完善的具有自動(dòng)恢復(fù)功能的保護(hù)措施，包括軟啟動(dòng)、過溫保護(hù)（OTP）、VDD 欠壓鎖定保護(hù)（UVLO） 過壓保護(hù)、（OVP）及箝位、逐周期電流限制（OCP）、過載保護(hù)（OLP）和圖騰柱輸出驅(qū)動(dòng)高箝位等，特別對(duì)音頻噪聲和 FM 干擾進(jìn)行了處理。芯片內(nèi)置的頻率抖動(dòng)和圖騰柱柵極軟驅(qū)動(dòng)技術(shù)可容易地獲得良好的 EMI 性能。

特征：

內(nèi)置 4ms 軟啟動(dòng)以降低功率管開機(jī)尖峰電流

采用輕載降頻設(shè)計(jì)，以提高效率和降低待機(jī)功耗

采用頻率抖動(dòng)以達(dá)到更好的 EMI 性能

SENCE 峰值電流檢測輸入端內(nèi)置前沿消隱功能

無音頻噪聲工作模式

固定工作頻率：50KHz

內(nèi)置斜坡補(bǔ)償

低的啟動(dòng)電流和工作電流

欠壓鎖定保護(hù)（UVLO）

過載保護(hù)(OLP)

過溫保護(hù)（過溫保護(hù)（OTP））

過壓保護(hù)(OVP)

具有動(dòng)態(tài)峰值限定功能，在全電壓輸入

范圍內(nèi)獲得比較一致的最大輸出功率

保護(hù)解除后自動(dòng)恢復(fù)功能

3000V ESD

高壓BiCMOS工藝

內(nèi)置4A內(nèi)置 650V MOSFET

DIP-8L綠色封裝