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臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)將投資3億美元在內(nèi)地建300毫米晶圓廠
來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) | 作者:中華IC網(wǎng)整理 | 發(fā)表于:2013-07-22
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,聯(lián)電(UMC)正在與廈門(mén)市政府合作,將投資3億美元,在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠。如果一切順利,這將是臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類(lèi)工廠。

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,聯(lián)電(UMC)正在與廈門(mén)市政府合作,將投資3億美元,在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠。如果一切順利,這將是臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類(lèi)工廠。

這還將是海外廠商在內(nèi)地的第三座300毫米晶圓廠。在此之前,三星電子、Intel分別在西安市和大連市建設(shè)了自己的工廠。

不過(guò)根據(jù)臺(tái)灣當(dāng)局當(dāng)前的政策,聯(lián)電在內(nèi)地的300毫米晶圓廠最多只能使用55nm工藝,并且不允許升級(jí)到40nm、28nm。

對(duì)此報(bào)道,聯(lián)電回應(yīng)稱(chēng),尋求新的生產(chǎn)基地是該公司一貫的策略,而這類(lèi)項(xiàng)目要依據(jù)相關(guān)法律法規(guī)進(jìn)行。聯(lián)電表示已經(jīng)接到了中國(guó)內(nèi)地多家高科技園區(qū)的投資優(yōu)惠政策,但尚未做出最終決定。

除了建設(shè)新的300毫米晶圓廠,聯(lián)電還考慮在亞洲范圍內(nèi)購(gòu)買(mǎi)一座200毫米晶圓廠,馬來(lái)西亞硅佳(SilTerra)、臺(tái)灣南亞都是潛在目標(biāo)。

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