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        集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片制造商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體今天發(fā)布兩款產(chǎn)品AOTF11C60 和 AOTF20C60 -采用AlphaMOS II 技術(shù)的600V MOSFET。 AlphaMOS II（正在申請(qǐng)結(jié)構(gòu)和制程專利）技術(shù)集超結(jié)技術(shù)的低內(nèi)阻特性與平面工藝的強(qiáng)壯性于一體，是兼顧高效率和高可靠性的理想解決方案。AOTF11C60和AOTF20C60適用于服務(wù)器電源、網(wǎng)絡(luò)通信電源、不間斷電源、光伏逆變、工業(yè)馬達(dá)控制系統(tǒng)以及LED照明等。

采用AlphaMOS II技術(shù)，只需要簡(jiǎn)單的工藝制程就可以達(dá)到超結(jié)MOSFET的性能。AOTF11C60和AOTF20C60與市場(chǎng)上的同規(guī)格超結(jié)器件相比，具有更高的雪崩能量。另外AlphaMOS II系列產(chǎn)品優(yōu)化了開關(guān)參數(shù)，提高效率的同時(shí)降低了開關(guān)噪聲。 較低的RDS(ON), Ciss 和 Crss參數(shù)使得該系列產(chǎn)品完美地適用于高性能高可靠性的產(chǎn)品。

“對(duì)產(chǎn)品可靠性和輸出效率的要求與日俱增，電源工程師對(duì)高壓MOSFET的要求也越來越苛刻：既要能承受較大的反向恢復(fù)電流，又要能同時(shí)降低開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗”， 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品線副總裁Yalcin Bulut提到：“AlphaMOS II系列，其特殊的結(jié)構(gòu)不僅能滿足工程師上述要求，還能幫助他們開發(fā)出更加強(qiáng)壯可靠的電源產(chǎn)品。”

AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性600V 功率MOSFET--AlphaMOS-II系列

 

AOTF11C60 技術(shù)參數(shù)：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.4 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 108 pF typ

Qg (10V) = 30 nC typ

AOTF20C60技術(shù)參數(shù)：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.25 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 190 pF typ

Qg (10V) = 52 nC typ

交期：

AOTF11C60和AOTF20C60 全部通過柵極電阻和雪崩能量測(cè)試，且采用環(huán)保無鹵TO-220塑封封裝。產(chǎn)品交期約12周。