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 由半導體所韓培德研究員領導的光伏能源組，在國家縱向經(jīng)費和自籌經(jīng)費的支持下，瞄準光伏企業(yè)需求，經(jīng)過多年苦戰(zhàn)，綜合了入射光減反技術、鈍化技術、選擇性發(fā)射極技術、背面局部重摻技術等優(yōu)點，在單晶硅襯底上研發(fā)出效率高達20.0%的太陽電池（短路電流密度JSC=43.9mA/cm2，開路電壓VOC=602mV，填充因子FF=0.758），并經(jīng)中國計量科學研究院認證。

在中國特色的光伏運動推動下，單晶硅/多晶硅太陽電池將以第一代電池身份（今年年底）跨入Martin A.Green所描述的第三代電池范疇（即光電轉換效率≥20%，電力成本≤$0.5/W，制造成本≤$100/m2），單晶硅/多晶硅太陽電池在光伏能源中的主導地位將長期不變。正因如此，提高單晶硅電池效率、形成自主知識產權、引領光伏企業(yè)向前發(fā)展具有更加重要的戰(zhàn)略意義。

針對當前光伏低谷的產業(yè)形勢，課題組提出了“提效率、重檢測、降成本、促應用” 十二字方針，以此作為該組日常工作指南，努力走一條與企業(yè)需要相結合的研發(fā)道路。下一步他們將繼續(xù)提高電池效率，同時對現(xiàn)有技術進行中試，并在產線上加以推廣和應用。