英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013電子行業(yè)年度技術創(chuàng)新獎
來源： | 作者: | 發(fā)表于：2013-04-14
英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013電子行業(yè)年度技術創(chuàng)新獎
2013年4月11日下午， OFweek光電新聞網(wǎng) （以下簡稱OFweek）和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評選活動，英飛凌科技公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY，以下簡稱英飛凌）產(chǎn)品40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲了技術創(chuàng)新獎。英飛凌科技（中國）有限公司汽車電子事業(yè)部市場總監(jiān)杜曦先生出席了頒獎儀式并代表英飛凌領取了該獎。
英飛凌40 V OptiMOSTM T2功率MOSFET器件結合采用了創(chuàng)新的封裝技術和英飛凌的薄晶圓工藝，規(guī)格性能超出同類所有其他產(chǎn)品。英飛凌采用擴散焊接芯片貼裝工藝生產(chǎn)TO-220、TO-262和TO-263等無鉛封裝。鑒于對于封裝幾何結構、芯片焊墊厚度和芯片尺寸的特定要求，擴散焊接芯片貼裝工藝到目前為止是世界上唯一可以實現(xiàn)上述三種封裝的生產(chǎn)工藝。
這些MOSFET系列器件使得英飛凌不但率先達成現(xiàn)行的RoHS（有害物質限制指令）有關用于將芯片附著到封裝的鉛基焊料的要求，而且可以滿足即將在2014年之后實施的更嚴格的ELV RoHS指令要求。作為業(yè)界第一款完全無鉛的MOSFET，英飛凌的這些器件可幫助客戶滿足目前和將來這方面的嚴格要求。
英飛凌獲得專利的無鉛芯片貼裝（芯片和封裝引線框架之間互聯(lián)）采用擴散焊接方法，可改善芯片的電氣和熱性能、可制造性和質量。這種芯片貼裝技術結合英飛凌的薄晶圓工藝（60微米，而不是標準的175微米）可讓電力半導體器件實現(xiàn)如下幾大改善：
因為不采用鉛和其他有毒材料，因此是一項環(huán)保技術
結合采用擴散焊接芯片貼裝工藝和薄晶圓技術，可顯著降低器件的導通電阻（RDS(on)）
熱阻（RthJC）改善40%至50%，因為傳統(tǒng)鉛基軟焊材料的導熱性較差，阻礙了MOSFET結上產(chǎn)生的熱量的消散
由于不存在溢焊和芯片傾斜現(xiàn)象，而且沒有更嚴格的RDS(on) 和RthJC分布要求， 結果改善了芯片的可制造性。由于產(chǎn)品內(nèi)部的電機壓力得以降低，進而可改善產(chǎn)品的可靠性和質量
OptiMOS T2 40V——即IPB160N04S4-02D的規(guī)格為：電流160A；RDS(on)僅2.0mΩ；RthJC為0.9K/W。與采用標準鉛基芯片貼裝焊接工藝的同類器件相比，導通電阻降低20%。此外，采用英飛凌獲得專利的擴散焊接工藝降低了“芯片到引線框架”的熱阻，使得OptiMOS T2具備同類最佳性能。
英飛凌科技（中國）有限公司汽車電子事業(yè)部市場總監(jiān)杜曦先生表示：“很榮幸我們獲得了OFweek2013電子行業(yè)年度技術創(chuàng)新獎，非常感謝OFweek以及業(yè)界對我們公司及產(chǎn)品的認可。英飛凌一直以來都十分強調(diào)創(chuàng)新精神，以滿足客戶和市場快速發(fā)展的需求，這也是成就英飛凌公司成為全球汽車半導體器件供貨商的驅動力，使得英飛凌公司在過去十多年里能保持功率器件出貨量第一的位置。我們公司將不斷加大在創(chuàng)新方面的投入，為廣大客戶帶來更多更好的產(chǎn)品。”
