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三星量產(chǎn)10納米先進制程128GB的NAND閃存芯片
來源: | 作者: | 發(fā)表于:2013-04-20
三星量產(chǎn)10納米先進制程128GB的NAND閃存芯片
     全球最大記憶芯片制造商三星電子11日表示,已開始量產(chǎn)采用10納米先進制程128GB的NAND閃存芯片。

     三星電子表示,計劃藉生產(chǎn)這類芯片,強化在內(nèi)部存儲器領(lǐng)域的優(yōu)勢地位。NAND flash芯片是應(yīng)用于行動產(chǎn)品和固態(tài)硬盤(SSD)的非揮發(fā)性記憶芯片。

      三星電子去年11月才推出采用10納米64GB的NAND flash芯片,五個月后即推出新一代芯片,代表三星在內(nèi)部存儲器領(lǐng)域維持多元的產(chǎn)品陣容。三星在內(nèi)建高階記憶芯片的多媒體卡和SSD的領(lǐng)域,已有傲人的優(yōu)勢。iSuppli預(yù)測,今年NAND flash芯片出貨量將達405億片,其中128GB的芯片將占30%。三星在新聞稿中說:“我們將持續(xù)在適當時機發(fā)表新一代的芯片,主動響應(yīng)消費者需求?!?

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