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熱門關(guān)鍵詞： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

2SK545-11D-TB-E

概述

MOSFET J-FET N-CH CP

廠商

參數(shù)

包裝:帶卷 (TR),系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss):60µA @ 10V,漏源極電壓 (Vdss):40V,漏極電流 (Id) - 最大值:1mA,FET 類型:N 溝道,電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-,不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 1µA,不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1.7pF @ 10V,電阻 - RDS（開）:-,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供應(yīng)商器件封裝:3-CP,功率 - 最大值:125mW

引腳圖與功能

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工作原理

暫無2SK545-11D-TB-E的工作原理信息

替代產(chǎn)品

暫無2SK545-11D-TB-E的替代產(chǎn)品信息

PDF資料

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