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NESG7030M04-T2-A

概述

IC RF TRANSISTOR NPN

廠商

CEL

參數

包裝:帶卷 (TR),系列:-,晶體管類型:NPN,電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.3V,頻率 - 躍遷:5.8GHz,噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz,增益:14dB ~ 21dB,功率 - 最大值:125mW,不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 5mA，2V,電流 - 集電極 (Ic)（最大值）:30mA,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:SOT-343F,供應商器件封裝:M04

引腳圖與功能

暫無NESG7030M04-T2-A的引腳圖與功能信息

工作原理

暫無NESG7030M04-T2-A的工作原理信息

替代產品

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PDF資料

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